| Osa numero : |
IRLML2502GTRPBF |
| Valmistaja / merkki : |
International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Kuvaus : |
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3 |
| RoHs-tila : |
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä |
225367 pcs |
| lomakkeissa |
IRLML2502GTRPBF.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) |
±12V |
| teknologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package |
Micro3™/SOT-23 |
| Sarja |
HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs |
45 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Tehonkulutus (Max) |
1.25W (Ta) |
| Pakkaus |
Original-Reel® |
| Pakkaus / Case |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Muut nimet |
IRLML2502GTRPBFDKR |
| Käyttölämpötila |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi |
Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila |
Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds |
740pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
12nC @ 5V |
| FET tyyppi |
N-Channel |
| FET Ominaisuus |
- |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) |
2.5V, 4.5V |
| Valua lähde jännite (Vdss) |
20V |
| Yksityiskohtainen kuvaus |
N-Channel 20V 4.2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C |
4.2A (Ta) |
International Rectifier (Infineon Technologies)
