Tervetuloa osoitteeseen www.icgogogo.com

Valitse kieli

  1. English
  2. 简体中文
  3. 繁体中文
  4. Deutsch
  5. Français
  6. русский
  7. 한국의
  8. español
  9. Galego
  10. Português
  11. Eesti Vabariik
  12. Беларусь
  13. íslenska
  14. polski
  15. Dansk
  16. Suomi
  17. Italia
  18. Maori
  19. Kongeriket
  20. Ελλάδα
  21. Nederland
  22. Cрпски
  23. românesc
  24. Svenska
  25. Čeština
  26. Slovenská
  27. Україна
  28. العربية
  29. Pilipino
  30. Tiếng Việt
  31. Melayu
  32. Монголулс
  33. සිංහල
  34. Indonesia
  35. हिंदी
Jos tarvitsemasi kieli ei ole käytettävissä, " -asiakaspalvelu "

2N3859A

Osa numero : 2N3859A
Valmistaja / merkki : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus : TRANS NPN 60V 0.5A TO-92
RoHs-tila : Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä 4567 pcs
lomakkeissa 2N3859A.pdf
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
transistori tyyppi NPN
Toimittaja Device Package TO-92-3
Sarja -
Virta - Max 625mW
Pakkaus Bulk
Pakkaus / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Käyttölämpötila -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL) 1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila Lead free / RoHS Compliant
Taajuus - Siirtyminen 250MHz
Yksityiskohtainen kuvaus Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 500mA 250MHz 625mW Through Hole TO-92-3
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 1V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max) 500mA
Perusosan osanumero 2N3859
AMI Semiconductor / ON Semiconductor Kuvat ovat vain viitteellisiä. Katso tuotetietoja Tuotetiedot.
Osta 2N3859A luottavaisesti {Define: Sys_Domain}, 1 vuoden takuu
Lähetä -lainauspyyntö suurille määrille kuin esitetyt.
Tavoite hinta (USD):
Määrä:
Kaikki yhteensä:
$US 0.00

Liittyvät tuotteet

Toimitusprosessi