| Osa numero : | 6A80GHA0G |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Kuvaus : | DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 218839 pcs |
| lomakkeissa | 6A80GHA0G.pdf |
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos | 1V @ 6A |
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
| Toimittaja Device Package | R-6 |
| Nopeus | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Sarja | Automotive, AEC-Q101 |
| Pakkaus | Tape & Box (TB) |
| Pakkaus / Case | R6, Axial |
| Käyttölämpötila - liitäntä | -55°C ~ 150°C |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika | 12 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| diodi Tyyppi | Standard |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Diode Standard 800V 6A Through Hole R-6 |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr | 10µA @ 800V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) | 6A |
| Kapasitanssi @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
