| Osa numero : | BCV27 |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Kuvaus : | TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23 |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 1220496 pcs |
| lomakkeissa | 1.BCV27.pdf2.BCV27.pdf |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100µA, 100mA |
| transistori tyyppi | NPN - Darlington |
| Toimittaja Device Package | SOT-23-3 |
| Sarja | - |
| Virta - Max | 350mW |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Muut nimet | BCV27TR |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika | 17 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen | 220MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 1.2A 220MHz 350mW Surface Mount SOT-23-3 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | 1.2A |
| Perusosan osanumero | BCV27 |
