| Osa numero : | CP527-2N6299-CT |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | Central Semiconductor |
| Kuvaus : | TRANS PNP DARL 100V CHIP 1=200 |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 5551 pcs |
| lomakkeissa | CP527-2N6299-CT.pdf |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 80mA, 8A |
| transistori tyyppi | PNP - Darlington |
| Toimittaja Device Package | Die |
| Sarja | - |
| Pakkaus | Tray |
| Pakkaus / Case | Die |
| Muut nimet | CP527-2N6299-CT PBFREE CP5272N6299CT |
| Käyttölämpötila | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen | 4MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 8A 4MHz Surface Mount Die |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 4A, 3V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | 8A |
