Tervetuloa osoitteeseen www.icgogogo.com

Valitse kieli

  1. English
  2. 简体中文
  3. 繁体中文
  4. Deutsch
  5. Français
  6. русский
  7. 한국의
  8. español
  9. Galego
  10. Português
  11. Eesti Vabariik
  12. Беларусь
  13. íslenska
  14. polski
  15. Dansk
  16. Suomi
  17. Italia
  18. Maori
  19. Kongeriket
  20. Ελλάδα
  21. Nederland
  22. Cрпски
  23. românesc
  24. Svenska
  25. Čeština
  26. Slovenská
  27. Україна
  28. العربية
  29. Pilipino
  30. Tiếng Việt
  31. Melayu
  32. Монголулс
  33. සිංහල
  34. Indonesia
  35. हिंदी
Jos tarvitsemasi kieli ei ole käytettävissä, " -asiakaspalvelu "

DDA123JU-7-F

Osa numero : DDA123JU-7-F
Valmistaja / merkki : Diodes Incorporated
Kuvaus : TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
RoHs-tila : Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä 404541 pcs
lomakkeissa DDA123JU-7-F.pdf
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package SOT-363
Sarja -
Vastus - emitteripohja (R2) 47 kOhms
Vastus - pohja (R1) 2.2 kOhms
Virta - Max 200mW
Pakkaus Original-Reel®
Pakkaus / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Muut nimet DDA123JU-FDIDKR
Asennustyyppi Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL) 1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika 24 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila Lead free / RoHS Compliant
Taajuus - Siirtyminen 250MHz
Yksityiskohtainen kuvaus Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max) 500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max) 100mA
Perusosan osanumero DDA123
DDA123JU-7-F
Diodes Incorporated Diodes Incorporated Kuvat ovat vain viitteellisiä. Katso tuotetietoja Tuotetiedot.
Osta DDA123JU-7-F luottavaisesti {Define: Sys_Domain}, 1 vuoden takuu
Lähetä -lainauspyyntö suurille määrille kuin esitetyt.
Tavoite hinta (USD):
Määrä:
Kaikki yhteensä:
$US 0.00

Liittyvät tuotteet

Toimitusprosessi