| Osa numero : | DTB743XMT2L |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | LAPIS Semiconductor |
| Kuvaus : | TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 374031 pcs |
| lomakkeissa | DTB743XMT2L.pdf |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| transistori tyyppi | PNP - Pre-Biased |
| Toimittaja Device Package | VMT3 |
| Sarja | - |
| Vastus - emitteripohja (R2) | 10 kOhms |
| Vastus - pohja (R1) | 4.7 kOhms |
| Virta - Max | 150mW |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case | SOT-723 |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen | 260MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | 200mA |
| Perusosan osanumero | DTB743 |
LAPIS Semiconductor
