| Osa numero : | EMD4DXV6T1G |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Kuvaus : | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 657926 pcs |
| lomakkeissa | EMD4DXV6T1G.pdf |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| transistori tyyppi | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Toimittaja Device Package | SOT-563 |
| Sarja | - |
| Vastus - emitteripohja (R2) | 47 kOhms |
| Vastus - pohja (R1) | 47 kOhms, 10 kOhms |
| Virta - Max | 500mW |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Muut nimet | EMD4DXV6T1G-ND EMD4DXV6T1GOSTR |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika | 2 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen | - |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | 100mA |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
