| Osa numero : | EPC2037 |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | EPC |
| Kuvaus : | TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 48633 pcs |
| lomakkeissa | EPC2037.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 80µA |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| teknologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Toimittaja Device Package | Die |
| Sarja | eGaN® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 100mA, 5V |
| Tehonkulutus (Max) | - |
| Pakkaus | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case | Die |
| Muut nimet | 917-1137-6 |
| Käyttölämpötila | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika | 12 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 14pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.12nC @ 5V |
| FET tyyppi | N-Channel |
| FET Ominaisuus | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 100V |
| Yksityiskohtainen kuvaus | N-Channel 100V 1.7A (Ta) Surface Mount Die |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Ta) |
EPC
