| Osa numero : | EPC8004 |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | EPC |
| Kuvaus : | TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 11119 pcs |
| lomakkeissa | 1.EPC8004.pdf2.EPC8004.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| teknologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Toimittaja Device Package | Die |
| Sarja | eGaN® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 500mA, 5V |
| Tehonkulutus (Max) | - |
| Pakkaus | Cut Tape (CT) |
| Pakkaus / Case | Die |
| Muut nimet | 917-1072-1 |
| Käyttölämpötila | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika | 12 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 52pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.45nC @ 5V |
| FET tyyppi | N-Channel |
| FET Ominaisuus | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 40V |
| Yksityiskohtainen kuvaus | N-Channel 40V 2.7A (Ta) Surface Mount Die |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) |
EPC
