| Osa numero : | FDME910PZT |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Kuvaus : | MOSFET P CH 20V 8A MICROFET |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 98696 pcs |
| lomakkeissa | FDME910PZT.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Sarja | PowerTrench® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 8A, 4.5V |
| Tehonkulutus (Max) | 2.1W (Ta) |
| Pakkaus | Cut Tape (CT) |
| Pakkaus / Case | 6-PowerUFDFN |
| Muut nimet | FDME910PZTCT |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika | 39 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 2110pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
| FET tyyppi | P-Channel |
| FET Ominaisuus | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 20V |
| Yksityiskohtainen kuvaus | P-Channel 20V 8A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
