| Osa numero : | FJP5021R |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Kuvaus : | TRANS NPN 500V 5A TO-220 |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 3960 pcs |
| lomakkeissa | 1.FJP5021R.pdf2.FJP5021R.pdf |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 600mA, 3A |
| transistori tyyppi | NPN |
| Toimittaja Device Package | TO-220-3 |
| Sarja | - |
| Virta - Max | 50W |
| Pakkaus | Bulk |
| Pakkaus / Case | TO-220-3 |
| Käyttölämpötila | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen | 18MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Bipolar (BJT) Transistor NPN 500V 5A 18MHz 50W Through Hole TO-220-3 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 600mA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | 5A |
| Perusosan osanumero | FJP5021 |
