| Osa numero : | H11B3W |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Kuvaus : | OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 6003 pcs |
| lomakkeissa | H11B3W.pdf |
| Voltage - lähtö (Max) | 25V |
| Jännite - Isolation | 5300Vrms |
| Jännite - eteenpäin (Vf) (tyyppi) | 1.35V |
| Vce Saturation (Max) | 1V |
| Kytke päälle / pois päältä (Typ) | 25µs, 18µs |
| Toimittaja Device Package | 6-DIP |
| Sarja | - |
| Rise / Fall Time (tyyppinen) | - |
| Pakkaus | Tube |
| Pakkaus / Case | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
| lähtö Tyyppi | Darlington with Base |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 100°C |
| Kanavien lukumäärä | 1 |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Syötetyyppi | DC |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Optoisolator Darlington with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP |
| Nykyinen Transfer Ratio (Min) | 100% @ 1mA |
| Nykyinen Transfer Ratio (Max) | - |
| Nykyinen - Tuotos / kanava | - |
| Nykyinen - DC eteenpäin (jos) (maksimi) | 100mA |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
