| Osa numero : | IPB80N06S207ATMA1 |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Kuvaus : | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 5518 pcs |
| lomakkeissa | IPB80N06S207ATMA1.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Sarja | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 68A, 10V |
| Tehonkulutus (Max) | 250W (Tc) |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet | IPB80N06S2-07 IPB80N06S2-07-ND IPB80N06S207ATMA1TR SP000218818 |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 3400pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| FET tyyppi | N-Channel |
| FET Ominaisuus | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 55V |
| Yksityiskohtainen kuvaus | N-Channel 55V 80A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
International Rectifier (Infineon Technologies)
