| Osa numero : |
IRF3711STRR |
| Valmistaja / merkki : |
International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Kuvaus : |
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK |
| RoHs-tila : |
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä |
4268 pcs |
| lomakkeissa |
IRF3711STRR.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
| Vgs (Max) |
±20V |
| teknologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package |
D2PAK |
| Sarja |
HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs |
6 mOhm @ 15A, 10V |
| Tehonkulutus (Max) |
3.1W (Ta), 120W (Tc) |
| Pakkaus |
Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Käyttölämpötila |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi |
Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila |
Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds |
2980pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
44nC @ 4.5V |
| FET tyyppi |
N-Channel |
| FET Ominaisuus |
- |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss) |
20V |
| Yksityiskohtainen kuvaus |
N-Channel 20V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C |
110A (Tc) |
International Rectifier (Infineon Technologies)
