| Osa numero : | IRF3717 |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Kuvaus : | MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC |
| RoHs-tila : | Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 3992 pcs |
| lomakkeissa | IRF3717.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package | 8-SO |
| Sarja | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 20A, 10V |
| Tehonkulutus (Max) | 2.5W (Ta) |
| Pakkaus | Tube |
| Pakkaus / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet | *IRF3717 SP001561700 |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 2890pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 4.5V |
| FET tyyppi | N-Channel |
| FET Ominaisuus | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 20V |
| Yksityiskohtainen kuvaus | N-Channel 20V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
International Rectifier (Infineon Technologies)
