| Osa numero : | IRL1004LPBF |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Kuvaus : | MOSFET N-CH 40V 130A TO-262 |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 4724 pcs |
| lomakkeissa | IRL1004LPBF.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±16V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package | TO-262 |
| Sarja | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 78A, 10V |
| Tehonkulutus (Max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Pakkaus | Tube |
| Pakkaus / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Muut nimet | *IRL1004LPBF SP001557916 |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 5330pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 4.5V |
| FET tyyppi | N-Channel |
| FET Ominaisuus | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 40V |
| Yksityiskohtainen kuvaus | N-Channel 40V 130A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 130A (Tc) |
