| Osa numero : | JAN2N3506A |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | Microsemi |
| Kuvaus : | TRANS NPN 40V 3A TO-39 |
| RoHs-tila : | Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 1742 pcs |
| lomakkeissa | JAN2N3506A.pdf |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
| transistori tyyppi | NPN |
| Toimittaja Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
| Sarja | Military, MIL-PRF-19500/349 |
| Virta - Max | 1W |
| Pakkaus | Bulk |
| Pakkaus / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Muut nimet | 1086-20838 1086-20838-MIL |
| Käyttölämpötila | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika | 22 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Taajuus - Siirtyminen | - |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 3A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD) |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1.5A, 2V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | - |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | 3A |
