| Osa numero : | JANTXV2N5685 |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | Microsemi |
| Kuvaus : | TRANS NPN 60V 50A TO-3 |
| RoHs-tila : | Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 4655 pcs |
| lomakkeissa | JANTXV2N5685.pdf |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 10A, 50A |
| transistori tyyppi | NPN |
| Toimittaja Device Package | TO-3 (TO-204AA) |
| Sarja | Military, MIL-PRF-19500/464 |
| Virta - Max | 300W |
| Pakkaus | Bulk |
| Pakkaus / Case | TO-204AA, TO-3 |
| Muut nimet | 1086-16171 1086-16171-MIL |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Taajuus - Siirtyminen | - |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 50A 300W Through Hole TO-3 (TO-204AA) |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 25A, 2V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | 50A |
