| Osa numero : | MJD47G |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Kuvaus : | TRANS NPN 250V 1A DPAK |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 130135 pcs |
| lomakkeissa | MJD47G.pdf |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
| transistori tyyppi | NPN |
| Toimittaja Device Package | DPAK |
| Sarja | - |
| Virta - Max | 1.56W |
| Pakkaus | Tube |
| Pakkaus / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet | MJD47G-ND MJD47GOS |
| Käyttölämpötila | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika | 2 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen | 10MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 200µA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | 1A |
| Perusosan osanumero | MJD47 |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
