| Osa numero : | MURH10010R |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | GeneSiC Semiconductor |
| Kuvaus : | DIODE GEN PURP 100V 100A D-67 |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 1852 pcs |
| lomakkeissa | 1.MURH10010R.pdf2.MURH10010R.pdf |
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos | 1.3V @ 100A |
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Toimittaja Device Package | D-67 |
| Nopeus | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR) | 75ns |
| Pakkaus | Bulk |
| Pakkaus / Case | D-67 |
| Muut nimet | MURH10010RGN |
| Asennustyyppi | Chassis Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika | 4 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| diodi Tyyppi | Standard, Reverse Polarity |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Diode Standard, Reverse Polarity 100V 100A Chassis Mount D-67 |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr | 25µA @ 50V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) | 100A |
| Kapasitanssi @ Vr, F | - |
