| Osa numero : |
NSBA113EDXV6T1 |
| Valmistaja / merkki : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Kuvaus : |
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
| RoHs-tila : |
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä |
4238 pcs |
| lomakkeissa |
NSBA113EDXV6T1.pdf |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) |
50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic |
250mV @ 5mA, 10mA |
| transistori tyyppi |
2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Toimittaja Device Package |
SOT-563 |
| Sarja |
- |
| Vastus - emitteripohja (R2) |
1 kOhms |
| Vastus - pohja (R1) |
1 kOhms |
| Virta - Max |
500mW |
| Pakkaus |
Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case |
SOT-563, SOT-666 |
| Muut nimet |
NSBA113EDXV6T1OS |
| Asennustyyppi |
Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila |
Contains lead / RoHS non-compliant |
| Taajuus - Siirtyminen |
- |
| Yksityiskohtainen kuvaus |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
3 @ 5mA, 10V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) |
500nA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) |
100mA |
| Perusosan osanumero |
NSBA1* |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
