| Osa numero : | NSBA144WF3T5G |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Kuvaus : | TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 281871 pcs |
| lomakkeissa | NSBA144WF3T5G.pdf |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| transistori tyyppi | PNP - Pre-Biased |
| Toimittaja Device Package | SOT-1123 |
| Sarja | - |
| Vastus - emitteripohja (R2) | 22 kOhms |
| Vastus - pohja (R1) | 47 kOhms |
| Virta - Max | 254mW |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case | SOT-1123 |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika | 13 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | 100mA |
| Perusosan osanumero | NSBA1* |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
