| Osa numero : | NTF6P02T3G |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Kuvaus : | MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 90013 pcs |
| lomakkeissa | NTF6P02T3G.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package | SOT-223 |
| Sarja | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Tehonkulutus (Max) | 8.3W (Ta) |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Muut nimet | NTF6P02T3GOS NTF6P02T3GOS-ND NTF6P02T3GOSTR |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika | 17 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 16V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| FET tyyppi | P-Channel |
| FET Ominaisuus | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 20V |
| Yksityiskohtainen kuvaus | P-Channel 20V 10A (Ta) 8.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
