| Osa numero : | PBLS1502V,115 |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | NXP Semiconductors / Freescale |
| Kuvaus : | TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 4742 pcs |
| lomakkeissa | PBLS1502V,115.pdf |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 15V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA |
| transistori tyyppi | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Toimittaja Device Package | SOT-666 |
| Sarja | - |
| Vastus - emitteripohja (R2) | 4.7 kOhms |
| Vastus - pohja (R1) | 4.7 kOhms |
| Virta - Max | 300mW |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Muut nimet | 568-7219-2 934058048115 PBLS1502V T/R PBLS1502V T/R-ND PBLS1502V,115-ND PBLS1502V115 |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen | 280MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 15V 100mA, 500mA 280MHz 300mW Surface Mount SOT-666 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 1µA, 100nA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | 100mA, 500mA |
| Perusosan osanumero | PBLS1502 |
NXP Semiconductors / Freescale
