| Osa numero : | PDTA124EMB,315 |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | Nexperia |
| Kuvaus : | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 357663 pcs |
| lomakkeissa | |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| transistori tyyppi | PNP - Pre-Biased |
| Toimittaja Device Package | DFN1006B-3 |
| Sarja | - |
| Vastus - emitteripohja (R2) | 22 kOhms |
| Vastus - pohja (R1) | 22 kOhms |
| Virta - Max | 250mW |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case | 3-XFDFN |
| Muut nimet | 934065925315 |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika | 8 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen | 180MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | 100mA |
| Perusosan osanumero | PDTA124 |
Nexperia
