| Osa numero : | PUMD9,165 |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | Nexperia |
| Kuvaus : | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 812354 pcs |
| lomakkeissa | PUMD9,165.pdf |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| transistori tyyppi | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Toimittaja Device Package | 6-TSSOP |
| Sarja | - |
| Vastus - emitteripohja (R2) | 47 kOhms |
| Vastus - pohja (R1) | 10 kOhms |
| Virta - Max | 300mW |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Muut nimet | 934055050165 PUMD9 /T2 PUMD9 /T2-ND |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen | - |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | 100mA |
| Perusosan osanumero | P*MD9 |
Nexperia
