| Osa numero : |
RB098BM100FHTL |
| Valmistaja / merkki : |
LAPIS Semiconductor |
| Kuvaus : |
SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| RoHs-tila : |
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä |
83680 pcs |
| lomakkeissa |
1.RB098BM100FHTL.pdf2.RB098BM100FHTL.pdf |
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos |
770mV @ 3A |
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max) |
100V |
| Toimittaja Device Package |
TO-252 |
| Nopeus |
Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja |
Automotive, AEC-Q101 |
| Käänteinen Recovery Time (TRR) |
11.4ns |
| Pakkaus |
Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet |
RB098BM100FHTLTR |
| Käyttölämpötila - liitäntä |
150°C (Max) |
| Asennustyyppi |
Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila |
Lead free / RoHS Compliant |
| diodi Tyyppi |
Schottky |
| diodikonfiguraatiolla |
1 Pair Common Cathode |
| Yksityiskohtainen kuvaus |
Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 6A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr |
3µA @ 100V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode) |
6A |
LAPIS Semiconductor
