| Osa numero : |
RN1609(TE85L,F) |
| Valmistaja / merkki : |
Toshiba Semiconductor and Storage |
| Kuvaus : |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 |
| RoHs-tila : |
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä |
304384 pcs |
| lomakkeissa |
RN1609(TE85L,F).pdf |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) |
50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 250µA, 5mA |
| transistori tyyppi |
2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Toimittaja Device Package |
SM6 |
| Sarja |
- |
| Vastus - emitteripohja (R2) |
22 kOhms |
| Vastus - pohja (R1) |
47 kOhms |
| Virta - Max |
300mW |
| Pakkaus |
Cut Tape (CT) |
| Pakkaus / Case |
SC-74, SOT-457 |
| Muut nimet |
RN1609(TE85LF)CT |
| Asennustyyppi |
Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila |
Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen |
250MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
70 @ 10mA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) |
100nA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) |
100mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
