| Osa numero : | RN1901,LF(CT |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Kuvaus : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 757294 pcs |
| lomakkeissa | RN1901,LF(CT.pdf |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| transistori tyyppi | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Toimittaja Device Package | US6 |
| Sarja | - |
| Vastus - emitteripohja (R2) | 1 kOhms |
| Vastus - pohja (R1) | 4.7 kOhms |
| Virta - Max | 200mW |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Muut nimet | RN1901(T5L,F,T) RN1901(T5LFT)TR RN1901(T5LFT)TR-ND RN1901,LF(CB RN1901LF(CTTR |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika | 10 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen | 250MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | 100mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
