| Osa numero : | RN2910FE,LF(CB |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Kuvaus : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 1459077 pcs |
| lomakkeissa | RN2910FE,LF(CB.pdf |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| transistori tyyppi | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Toimittaja Device Package | ES6 |
| Sarja | - |
| Vastus - emitteripohja (R2) | - |
| Vastus - pohja (R1) | 4.7 kOhms |
| Virta - Max | 100mW |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Muut nimet | RN2910FE(T5L,F,T) RN2910FE(T5LFT)TR RN2910FE(T5LFT)TR-ND RN2910FE,LF(CT RN2910FELF(CBTR RN2910FELF(CTTR RN2910FELF(CTTR-ND |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika | 16 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen | 200MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | 100mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
