| Osa numero : | SI7946DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Kuvaus : | MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8 |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 5397 pcs |
| lomakkeissa | SI7946DP-T1-GE3.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Toimittaja Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Sarja | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 3.3A, 10V |
| Virta - Max | 1.4W |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Muut nimet | SI7946DP-T1-GE3TR SI7946DPT1GE3 |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| FET tyyppi | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus | Logic Level Gate |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 150V |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 2.1A |
| Perusosan osanumero | SI7946 |
Electro-Films (EFI) / Vishay
