| Osa numero : | STP7N65M2 |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | STMicroelectronics |
| Kuvaus : | MOSFET N-CH 650V 5A TO-220AB |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 36066 pcs |
| lomakkeissa | STP7N65M2.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package | TO-220 |
| Sarja | MDmesh™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 1.15 Ohm @ 2.5A, 10V |
| Tehonkulutus (Max) | 60W (Tc) |
| Pakkaus | Tube |
| Pakkaus / Case | TO-220-3 |
| Muut nimet | 497-15041-5 |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| FET tyyppi | N-Channel |
| FET Ominaisuus | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 650V |
| Yksityiskohtainen kuvaus | N-Channel 650V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
STMicroelectronics
