| Osa numero : | UMC4NQ-7 |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | Diodes Incorporated |
| Kuvaus : | PREBIAS TRANSISTOR SOT353 |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 496462 pcs |
| lomakkeissa | UMC4NQ-7.pdf |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
| transistori tyyppi | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Toimittaja Device Package | SOT-353 |
| Sarja | Automotive, AEC-Q101 |
| Vastus - emitteripohja (R2) | 47 kOhms, 47 kOhms |
| Vastus - pohja (R1) | 47 kOhms, 10 kOhms |
| Virta - Max | 290mW |
| Pakkaus | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Valmistajan toimitusaika | 24 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen | 250MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 290mW Surface Mount SOT-353 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | - |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | 100mA |
