| Osa numero : | VQ1006P-2 |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Kuvaus : | MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP |
| RoHs-tila : | Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 4981 pcs |
| lomakkeissa | VQ1006P-2.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Toimittaja Device Package | 14-DIP |
| Sarja | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 1A, 10V |
| Virta - Max | 2W |
| Pakkaus | Tube |
| Pakkaus / Case | - |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| FET tyyppi | 4 N-Channel |
| FET Ominaisuus | Logic Level Gate |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 90V |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 400mA |
