| Osa numero : | VS-12FL10S02 |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Kuvaus : | DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 8229 pcs |
| lomakkeissa | VS-12FL10S02.pdf |
| Jännite - Peak Reverse (Max) | Standard |
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos | 12A |
| Jännite - Breakdown | DO-203AA |
| Sarja | - |
| RoHS-tila | Bulk |
| Käänteinen Recovery Time (TRR) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistance @ Jos F | - |
| Polarisaatio | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Muut nimet | *12FL10S02 12FL10S02 VS-12FL10S02-ND VS12FL10S02 VS12FL10S02-ND |
| Käyttölämpötila - liitäntä | 200ns |
| Asennustyyppi | Chassis, Stud Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero | VS-12FL10S02 |
| Laajennettu kuvaus | Diode Standard 100V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA |
| diodikonfiguraatiolla | 50µA @ 100V |
| Kuvaus | DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr | 1.4V @ 12A |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode) | 100V |
| Kapasitanssi @ Vr, F | -65°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division
