| Osa numero : | ZXTD619MCTA |
|---|---|
| Valmistaja / merkki : | Diodes Incorporated |
| Kuvaus : | TRANS 2NPN 50V 4A 8DFN |
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | 62536 pcs |
| lomakkeissa | ZXTD619MCTA.pdf |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 320mV @ 200mA, 4A |
| transistori tyyppi | 2 NPN (Dual) |
| Toimittaja Device Package | 8-DFN (3x2) |
| Sarja | - |
| Virta - Max | 1.7W |
| Pakkaus | Cut Tape (CT) |
| Pakkaus / Case | 8-WDFN Exposed Pad |
| Muut nimet | ZXTD619MCTACT |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen | 165MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 4A 165MHz 1.7W Surface Mount 8-DFN (3x2) |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | 4A |
| Perusosan osanumero | ZXTD619MC |
